檢索結果:共67筆資料 檢索策略: "Ren-Kae Shiue".ecommittee (精準)
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奈米碳管 ( Carbon nanotubes, CNTs ) 已經是奈米科技中的一項重要材料,其具有質量輕、高強度、高韌性、可撓曲、高表面積、表面曲度大、高熱導度、導電性特異等特性,除於儲氫材料的…
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本論文主要是使用草酸鋅為前驅物來成長氧化鋅一維材料,並討論在不同溫度、時間、模板比例、鹼性溶劑的量以及退火溫度等條件下對氧化鋅一維材料成長之影響。氧化鋅一維材料的水溶液法製備方式主要分為兩個步驟,首…
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本研究以快速析出製程出二氧化鈦奈米球狀粉體,並對其衍生光觸媒進行光催化產氫的研究與探討。實驗中,將透過不同比例的Cu元素摻雜合成出Cu-TiO2-n光觸媒,可得具有最佳產氫率的Cu-TiO2-6光觸…
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本研究中所使用的金屬硫化物陶金靶材是由本實驗室熱壓機自行壓製而成,利用RF磁控濺鍍法在低沉積溫度下能夠成功地製備出具高電催化特性之Ag/MoSx薄膜。實驗中,探討靶材中不同Ag含量比例,不同硫化物與…
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本論文以實驗室自行壓製硫氧化物電解質靶材,採用RF反應式濺鍍法進行製備氧硫化物電解質的Li2SnOS薄膜,欲將硫化物電解質之高離子傳導性與氧化物電解質之穩定性相結合,得到兼顧化學安定與高鋰離子傳導的…
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本論文以本實驗室自行壓製陶金(陶瓷+金屬)靶材,採用RF反應式濺鍍法製備N摻雜的IGZO薄膜,以N取代O的位置,期望提高IGZO薄膜內的氮含量來提升載子遷移率及提升電性穩定性。實驗中,觀察在不同氧氣…
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本研究主要是探討在室溫下以反應磁控濺鍍系統,先以銀靶材濺鍍找出能形成 Ag 2 O 的最適氬氣/氧氣的流量比後,再利用該最佳濺鍍條件進行由化學合成得到的氧化銀/氧化鋅複合粉體所熱壓的自製靶材來製作氧…
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為探究使用反應式真空濺鍍機製備氮化鋁銦鎵薄膜的制程,與分析此制程下沉積之薄膜的性質。此論文設定兩組不同鋁銦比例的靶材,一組靶材包含摩爾百分比固定5%鋁,銦含量從7.5%、15%、25%的三個陶金靶,…
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本論文以RF反應性濺鍍法製備n型Sn摻雜GaN及InGaN薄膜,並將摻雜不同成分之Sn-x GaN薄膜與p-type Silicon基板堆疊製作成p-n二極體,進而觀察其電特性。於本實驗中我們利用E…
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本研究藉由溶膠-凝膠法,以溴化十六烷基三甲銨(CTAB)界面活性劑做為主要模板,四乙氧基矽烷(TEOS)作為矽源,再加入第二/第三種高分子材料或採用鐵氰化鉀為蝕刻劑進行蝕刻處理,分別於水相或油水混合…