檢索結果：共18筆資料 檢索策略： "Phototransistor".ekeyword (精準)
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消費市場對光電積體電路(OEIC’s)的需求日益增加。為了尺寸微縮以及成本縮減考量下，高響應度及高速性能的光檢測器製造技術是當然必需的。 在本論文中，我們將經由模擬來探討光電晶體。一開始會討…
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本論文研製積體化紫外光感測器與LED警示燈。所使用的晶圓為商用氮化鎵晶圓，經由光罩設計與利用矽擴散(Silicon Diffusion)製程，達到選擇性地將部分最上層的p-GaN反轉成n-GaN，使…
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金屬氧化物薄膜電晶體具有高載子遷移率、大面積下有良好的均勻性、低溫製程及高光穿透度等優點，因此被廣泛的應用在顯示器領域，除此之外，金屬氧化物薄膜電晶體也可以作為光感測的用途，其具有比光二極體更高的光…
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本論文主要研究氮化鎵光偵測器與LED警示燈模組，在功能上做應用端的延伸以及元件改良，使研發模組具有更好的元件性能以及多樣的應用端功能，來實現未來商業化的可能性。 在模組元件氮化鎵光偵測器與L…
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本論文我們製作了近紫外光p-i-n偵測器與異質接面光電晶體(Heterojunction phototransistors, HPTs)。兩種光偵測器都是設計了兩種形狀，有方型與長型。異質接面光電晶…
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現今消費市場對光電積體電路(OEICs)的需求日益增加，以及尺寸微縮和成本縮減考量下，高響應度(放大訊號能力)及高速性能的光檢測器製造技術是必需的。 並且現今多晶矽在物性以及製作技術上都有顯著的進步…
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本論文使用商用氮化鎵LED晶圓，利用矽擴散(Silicon Diffusion)製程，選擇性的將部分最上層的p-AlGaN反轉成n-AlGaN，使其結構由p-i-n變成n-p-i-n結構，在同一…
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本論文研究應用於光通訊系統的相關積體電路，包含發光元件、光接收元件、轉阻放大器、壓控振盪器與資料時脈回復電路。 第一部份探討光電晶體發光與檢光的設計，使用的是台積電0.35μm SiGe 3P…
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本論文將以Pentacene及Tetracene作為主動層材料，並分為兩部分來作探討，第一部分為製作成有機薄膜電晶體，元件的第一層主動層為Pentacene(70 nm)，第二層為Tetracene…
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本論文使用具有超晶格(Super Lattice)結構的電子阻擋層(Electron Blocking Layer, EBL)的商用氮化鎵藍光LED晶圓，利用矽擴散的方式，將最上層的p-GaN反轉成…