檢索結果:共7筆資料 檢索策略: "Ohmic Contacts".ekeyword (精準)
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本實驗是以磷砷化鎵(GaAsP)晶片為基材,以熱蒸鍍法依序蒸鍍Au、AuBe及Au的薄膜於磷砷化鎵晶片後,再利用傳統管狀爐之加熱,進行試片之歐姆接觸合金化熱處理。本論文研究Au(Be)/GaAsP的…
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本實驗以適用於紅外線二極體的砷化鎵(GaAs)晶片為基材,以熱蒸鍍法依序蒸鍍Au、AuBe及Au的薄膜於砷化鎵晶片後,再利用快速升降溫爐(RTA)或傳統管狀爐兩種不同之加熱方式,進行試片之歐姆接觸合…
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本實驗採熱蒸鍍法依序蒸鍍金(Au)、金鈹合金(AuBe)及金的薄膜於玻璃(SiO2)及砷化鎵(GaAs)基材上,再利用傳統管狀爐進行熱處理,以研究金屬層的結晶結構。 Au(Be)/SiO2之試片於X…
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本論文主要探討以化學氣相傳導法所成長的六方晶系二硫化鉬層狀半導體與不同功函數金屬之歐姆接觸。我們利用機械剝離法移除暴露在大氣中之層狀晶體表面的電子聚集層,使我們可以探討具有新鮮表面的二硫化鉬(fre…
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本實驗以適用於發光二極體的三元砷化鋁鎵(100)晶片系統,以熱蒸鍍法沉積金鈹合金於砷化鋁鎵晶片上,並使用快速升降溫爐及傳統管狀爐作熱處理,本論文以研究此晶片系統之金屬層的組成相為方向。 X光…
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本研究利用不同參數之反向式濺鍍蝕刻法(inverse sputter etching technique)轟擊半導體材料表面以去除潛在的表面汙染物,如天然氧 化物與碳氫化合物,使其半導體-金屬接面之…
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本研究乃針對藍光氮化鎵發光二極體元件的p型氮化鎵透明導電接觸層提出一取代材質及製程,考慮現在工業製程所使用的氧化銦錫薄膜中稀有元素銦的價昂,提案改使用同為透明導電氧化物的摻鎵氧化鋅來取代氧化銦錫。同…