檢索結果：共5筆資料 檢索策略： "GaN HEMTs".ekeyword (精準)
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氮化鎵高電子遷移率電晶體(GaN HEMTs)在高功率操作下，傳統金屬電極與元件結構層間之電致遷移現象變得更為嚴重，電致遷移現象除了使電晶體源極與汲極之歐姆接觸電阻上升；也導致閘極產生漏電路徑，使電…
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近年來，隨著無線通訊系統快速發展，各種頻率合成器被研發出來，又以系統單晶片 (System-On-Chip)為主要趨勢。在整合各系統子電路時常出現操作時脈相位不同的情況，而導致輸出資料錯誤，因此需要…
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在此研究中，本文實現一基於數位控制1MHz，480W 氮化鎵同步整流降壓轉換器。使用氮化鎵高電子遷移率電晶體(GaN HEMT)原因在於相較於碳化矽電晶體，氮化鎵電晶體的閘極電荷(Qg)以及輸出電容…
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本論文主要研製一種混合切換主動箝位返馳式轉換器，所提出混合切換技術可增加功率開關之零電壓切換範圍。本文將氮化鎵高電子遷移率電晶體使用在混合切換主動箝位返馳式轉換器中，藉以提高切換頻率，降低功率損耗。…
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氮化鎵高電子遷移率電晶體在近幾年中逐漸發展成熟，除了穩定性提高外，更有適用於不同需求的規格可供選擇，在許多方面都比現有的矽功率開關還要有更佳的特性，得以使電路操作在更高的頻率上。 因此本文將氮化鎵電…