檢索結果：共42筆資料 檢索策略： "Chemical vapor deposition".ekeyword (精準)
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本論文使用兩種不同的二維材料之過渡金屬硫屬化合物MoS2與WSe2做異質接面的結合並進行探討其接面特性. 本論文以熱化學氣相沉積法方式, 利用固定比例的三氧化鎢與硒粉末, 三氧化鉬與硫粉末成長WSe…
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本研究以有機金屬化合物(hfac)CuI(COD)為先驅物的化學氣相沈積系統探討金屬銅薄膜的成長動力及其材料分析。我們將探討沈積溫度及銅先驅物分壓對反應速率的影響。經由數據分析，探討反應機構及動力模…
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利用銅箔以化學氣相沉積的方法成長石墨烯，利用濕式轉移方式將石墨烯轉移至平面矽基板、金字塔結構矽基板以及矽奈米線基板上。在平面矽基板上轉移不同層數石墨烯場發射。量測不同層數石墨烯的功函數。石墨烯的邊緣…
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奈米碳管 ( Carbon nanotubes, CNTs ) 已經是奈米科技中的一項重要材料，其具有質量輕、高強度、高韌性、可撓曲、高表面積、表面曲度大、高熱導度、導電性優良等特性。奈米碳管的應用…
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本研究以自行合成的有機金屬化合物((BTMSA)CuI)2(C2O4)作為先驅物，使用NMR與IR來確定先驅物的鍵結結構確實為((BTMSA)CuI)2(C2O4)，並藉由TGA與DTA分析出先驅物…
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本研究之目的為合成CuII(OCHMeCH2NEt2)2先驅物，並且利用此先驅物以化學氣相沈積的方法成長銅薄膜，藉由調整沈積溫度及沈積時間，探討成長出高純度且具有良好之平坦度、緻密性、連續性及低電阻…
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摘 要 此論文利用兩年時間研究二氧化釕、二氧化銥奈米桿化學氣相沉積在Zn/Si、LiNbO3(100)、SA(012)、SA(100)基材表面的選區成長。這些一維奈米桿垂直陣列於LiNbO3(…
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鉑釕(Pt-Ru)合金可以經由一些方法製備出，其中之一為採用薄膜製造技術。本研究宗旨在找到經由原子層沉積方法(atomic layer deposition, ALD)的鉑釕合金催化劑之反應區域。在…
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本論文藉由四異丙基鈦前驅物進行化學氣相沉積，研究二氧化鈦奈米桿成長於二氧化錫摻雜氟(FTO)的導電玻璃及SA(100)基板上。藉由控制不同的化學氣相沉積成長條件，可得到金紅石結構、銳鈦礦結構與兩結構…
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本論文成功利用熱化學氣相沉積法成長奈米碳管並作為超級電容之材料。為了增加電容量，本實驗在奈米碳管成長時加入氨氣，使氮摻雜於奈米碳管之中；再利用金屬有機化學氣相沉積系統，於奈米碳管外成長二氧化釕奈米結…