檢索結果:共12筆資料 檢索策略: "Chemical mechanical planarization".ekeyword (精準)
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本研究主要是將化學機械拋光(Chemical Mechanical Planarization Process,CMP)拋光墊(Pad)與晶圓接觸之拋光墊粗度峰(Asperity)的彈性變形,由聚氨…
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本研究主要為結合超臨界微細發泡射出成形技術(Microcellular Injection Molding, MIM)與化學機械平坦化製程(Chemical Mechanical Planariza…
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本研究透過自行開發與改良的彩色共軛焦量測系統進行修整製程中,拋光墊表面形貌的量測;此外透過拋光墊修整軌跡模擬軟體,評估拋光墊之修整均勻性。實驗方法為固定修整器轉速15, 40, 65rpm對於拋光盤…
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本研究 之目的 為 研發線上量測軟拋墊之 磨耗率 (Pad Wearing Rate, PWR)與 性能指標應用於化學機械拋光之製程 透過 先前 開 發之動態量測 拋光墊性能指標系統 以 自行研發 …
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本研究延續蔡明城開發之動態量測拋光墊性能指標系統,透過彩色共軛焦感測器架設於CMP機台上,利用拋光機盤面旋轉與搖臂搖擺達到拋光墊大面積掃描,利用自製軟體分析其表面訊號,計算拋光墊非均勻度(PU)、壽…
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本研究之目的為設計研發依商用拋光墊溝槽及其經過磨耗後之尺寸PDMS材料翻模複製的透明溝槽,並與玻璃黏合為一體之觀測模型,經過相似性轉換計算後利用粒子影像測速法(Particle Image Velo…
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本文旨在建立提昇創新研發效能的流程以及提昇流程效率的輔助方法。一般使用TRIZ矛盾矩陣做為創新發明改善的方式,每次僅選取一項改善參數,對複雜的工程問題並無法達成改善目標,所以本文提出「修正式TRIZ…
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晶圓薄化與化學機械拋光平坦化廣泛應用在半導體製程方面,屬於超精密平坦化加工技術。在矽晶圓基板製造、封裝製程之晶圓薄化以及半導體IC製程之線寬縮減等需求下,晶圓薄化以及化學機械拋光平坦化能夠克服日益嚴…
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半導體為世上重大發明且與現代生活密不可分,隨著世代的進化變遷,不斷的追求微細化及線路層層堆疊而對於晶片的考驗也越來越嚴苛,全域平坦化表面將成為相當重要得關鍵技術。化學機械拋光/平坦化(Chemica…
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在化學機械平坦化製程中,化學拋光液與晶圓移除之殘碎會導致拋光墊表面產生鈍化的情況,因此透過拋光墊修整將拋光墊表面已鈍化表面移除,維持穩定的晶圓移除率。本研究將探討修整力量下的拋光墊修整移除率與表面形…