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  • 檢索結果:共3筆資料 檢索策略: "4H-SiC Wafer".ekeyword (精準)


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    氧化石墨烯複合式拋光液於單晶碳化矽晶圓之化學機械拋光製程分析研究
    • 機械工程系 /107/ 碩士
    • 研究生: 林妤靜 指導教授: 陳炤彰
    • 單晶碳化矽晶圓(Silicon Carbide, SiC)在高功率元件裡相較於單晶單化矽(Silicon)具有高崩潰電壓高寬能隙、高崩潰電壓及高熱傳導率,然而單晶碳化矽具有高硬度(Mohs 9.2)…
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    富勒烯複合式拋光液於單晶碳化矽晶圓化學機械拋光之研究
    • 機械工程系 /108/ 碩士
    • 研究生: 華振廷 指導教授: 陳炤彰
    • 單晶碳化矽晶圓(Silicon Carbide, SiC)擁有高崩潰電壓、寬能隙及高熱傳導率之材料特性,因此像是電動車等高功率元件市場上有較大的需求,然而單晶碳化矽晶圓具有高硬度與高抗化學之材料性質…
    • 點閱:298下載:3

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    碳化矽晶圓的非破壞性檢測方法對於晶圓缺陷之成像分析
    • 機械工程系 /112/ 碩士
    • 研究生: 曾奕鈞 指導教授: 鄭正元
    • 碳化矽是製造高功率半導體元件之重要的寬能隙(WBG)半導體材料,然而在晶圓的製造與加工過程當中,容易使晶圓產生缺陷進而影響製成元件之性能,對於碳化矽或矽晶圓質量有負面的影響,因此需要晶圓檢測找出並定…
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    • 全文公開日期 2027/02/06 (校外網路)
    • 全文公開日期 2027/02/06 (國家圖書館:臺灣博碩士論文系統)
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