檢索結果:共3筆資料 檢索策略: "4H-SiC Wafer".ekeyword (精準)
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單晶碳化矽晶圓(Silicon Carbide, SiC)在高功率元件裡相較於單晶單化矽(Silicon)具有高崩潰電壓高寬能隙、高崩潰電壓及高熱傳導率,然而單晶碳化矽具有高硬度(Mohs 9.2)…
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單晶碳化矽晶圓(Silicon Carbide, SiC)擁有高崩潰電壓、寬能隙及高熱傳導率之材料特性,因此像是電動車等高功率元件市場上有較大的需求,然而單晶碳化矽晶圓具有高硬度與高抗化學之材料性質…
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碳化矽是製造高功率半導體元件之重要的寬能隙(WBG)半導體材料,然而在晶圓的製造與加工過程當中,容易使晶圓產生缺陷進而影響製成元件之性能,對於碳化矽或矽晶圓質量有負面的影響,因此需要晶圓檢測找出並定…