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  • 檢索結果：共5筆資料 檢索策略： "碳化矽晶圓".ckeyword (精準)


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    1
    碳化矽晶圓的非破壞性檢測方法對於晶圓缺陷之成像分析
    • 機械工程系 /112/ 碩士
    • 研究生： 曾奕鈞   指導教授： 鄭正元
    • 碳化矽是製造高功率半導體元件之重要的寬能隙(WBG)半導體材料，然而在晶圓的製造與加工過程當中，容易使晶圓產生缺陷進而影響製成元件之性能，對於碳化矽或矽晶圓質量有負面的影響，因此需要晶圓檢測找出並定…
    • 點閱：52  下載：0 
    • 全文公開日期 2027/02/06 (校外網路)
    • 全文公開日期 2027/02/06 (國家圖書館：臺灣博碩士論文系統)

    2
    選擇性電泳沉積輔助複線式鑽石線鋸加工於單晶碳化矽晶圓製程分析研究
    • 機械工程系 /110/ 碩士
    • 研究生： 黃鼎軒   指導教授： 陳炤彰
    • 單晶碳化矽(SiC)晶圓是眾所矚目的第三代半導體材料之一，其低漏電流特性、較高的熱傳導率、寬能隙(WBG)和耐化學性，廣泛應用於高功率及高電壓能量轉換裝置元件，然而碳化矽的硬度和脆性使其鑽石線鋸切割…
    • 點閱：267  下載：0 
    • 全文公開日期 2024/09/27 (校內網路)
    • 全文公開日期 2024/09/27 (校外網路)
    • 全文公開日期 2024/09/27 (國家圖書館：臺灣博碩士論文系統)

    3
    過錳酸鉀溶液輔助複線式鑽石線鋸於單晶碳化矽晶圓加工影響之研究
    • 機械工程系 /105/ 碩士
    • 研究生： 蕭祈暐   指導教授： 陳炤彰
    • 單晶碳化矽晶圓(Silicon Carbide, SiC)在材料特性以及機械性質上相較於其他半導體材料，具有更明顯的優勢，如具有高崩潰電壓及低的阻抗，在高功耗應用端以及半導體市場中越來越受矚目，但也…
    • 點閱：342  下載：18 

    4
    整合文字探勘和本體論 於碳化矽晶圓化學機械拋光製程 專利分析研究
    • 機械工程系 /106/ 碩士
    • 研究生： 邱靖惠   指導教授： 陳炤彰
    • 隨著電子電力系統需求的規格逐年提升，碳化矽（Silicon Carbide, SiC）被視為未來高功率元件的理想材料，但因SiC本身的高硬度及高抗化學性，使其在化學機械拋光（Chemical Mec…
    • 點閱：270  下載：2 

    5
    氧化石墨烯複合式拋光液於單晶碳化矽晶圓之化學機械拋光製程分析研究
    • 機械工程系 /107/ 碩士
    • 研究生： 林妤靜   指導教授： 陳炤彰
    • 單晶碳化矽晶圓(Silicon Carbide, SiC)在高功率元件裡相較於單晶單化矽(Silicon)具有高崩潰電壓高寬能隙、高崩潰電壓及高熱傳導率，然而單晶碳化矽具有高硬度(Mohs 9.2)…
    • 點閱：377  下載：1 
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