檢索結果：共531筆資料 檢索策略： "矽".ckeyword (精準)
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由於矽廣泛地被應用於微電子產業，絕緣層覆矽(SOI)平台不僅可成為低功率消耗及高速度特性之光學與電子學應用的共通基板，而且也被證明可與互補式金屬氧化物半導體(CMOS）的標準製程相容。相對於傳統的二…
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本論文針對碳化矽的低溫製備，考慮利用矽化物合金的低融點特性，期望在較低的溫度下使其與活性碳物種反應來生成碳化矽鍵結。 本研究將採用電子束與熱蒸鍍法共蒸鍍石墨與金矽/鋁矽合金，分別於合金共晶溫度(36…
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本研究主要以聚矽氮烷(polysilazane，PSZ) 包覆於氮化鋁(AlN)粉末表面，分別利用空氣(air)、氬氣(Ar)、氮氣(N2)和氨氣(NH3)不同氣體環境在700和1600 oC溫度下…
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本論文使用兩個連續程序，在配備即場式X射線光電子能譜儀（XPS）和反射式高能電子衍射儀（RHEED）的超高真空化學氣相沉積（UHV-CVD）系統中，進行矽晶片（Si(111)）的表面碳化和 SiC …
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本論文使用四乙氧基矽烷(TEOS)作為無機單體、苯乙烯(Styrene)作為有機單體，在迷你乳液系統中加入緩衝鹽類-碳酸氫鈉(NaHCO3)、共同安定劑-正十六烷(HD)、陰離子界面活性劑(SDS…
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本研究係以射頻矽甲烷電漿輔助化學氣相沉積系統，藉由調配適當的反應參數如基材溫度、反應壓力及甲烷摻雜比等，分別進行本質非晶矽及p型非晶碳化矽薄膜之沉積，並針對薄膜的結構及光電性質加以分析，以設計出非晶…
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本實驗使用高矽含鉬球墨鑄鐵於700 C進行熱浸鍍純鋁，觀察矽和富鉬碳化物對外鋁層和鐵鋁介金屬層成長的影響。熱浸鍍後之高矽含鉬鑄鐵再於750 C進行高溫氧化試驗，探討矽和富鉬碳化物對高溫氧化時鐵鋁…
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本研究於超高真空系統中，用熱蒸鍍的方式，於矽（111）的單晶基板上成長鈷（Co）超薄膜，再進行熱退火，退火溫度由200 ℃增加到800 ℃，最後再利用掃描式穿隧顯微鏡（Scanning Tunnel…
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我們使用密度泛函數(DFT)法研究SiH4, GeH4, Si2H6, and Ge2H6分解吸附與氫遷移和脫附於SiGe(100)-2x1表面。由於鍺加入於Si(100)-2x1表面內影響了dim…
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碳化矽是一種具有優異電子特性和高熱穩定性的半導體材料，4H導電型碳化矽基板作為高功率半導體元件製造中的最常用也最重要的材料，其中晶體缺陷對對後續元件的品質有很大的影響，輕則元件效率降低重則元件失效，…