檢索結果：共20筆資料 檢索策略： "矽晶圓".ckeyword (精準)
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碳化矽是製造高功率半導體元件之重要的寬能隙(WBG)半導體材料，然而在晶圓的製造與加工過程當中，容易使晶圓產生缺陷進而影響製成元件之性能，對於碳化矽或矽晶圓質量有負面的影響，因此需要晶圓檢測找出並定…
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被視為台灣科技業金雞母的半導體產業是一個知識技術資金密集的產業，產業鏈的上下游關係相當密切。環球晶圓所屬的矽晶圓產業位於半導體的上游，隨著科技的進步與市場需求，矽晶圓的出貨量增加，但矽晶圓價格呈現持…
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本研究主要是將化學機械拋光(Chemical Mechanical Planarization Process,CMP)拋光墊(Pad)與晶圓接觸之拋光墊粗度峰(Asperity)的彈性變形，由聚氨…
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單晶碳化矽(SiC)晶圓是眾所矚目的第三代半導體材料之一，其低漏電流特性、較高的熱傳導率、寬能隙(WBG)和耐化學性，廣泛應用於高功率及高電壓能量轉換裝置元件，然而碳化矽的硬度和脆性使其鑽石線鋸切割…
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近年來工業4.0逐漸應用於半導體領域，隨著GPU、CPU兩者的普及化使得深度學習爆炸性的成長，身為關鍵半導體製造基礎材料，矽晶圓切片製程參數對於減少後續研、拋成本，顯得格外重要，鑽石線鋸為目前矽晶圓…
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飛秒雷射具有超短脈衝以及光能量密度極高的特性，且擁有特殊的光化學材料剝離機制。這些特性使其有別於一般雷射而有加工熱影響區小、加工尺寸精密度高、以及熱應力低所帶來的內部加工優勢。利用這些特點，本研究以…
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單晶碳化矽晶圓(Silicon Carbide, SiC)在材料特性以及機械性質上相較於其他半導體材料，具有更明顯的優勢，如具有高崩潰電壓及低的阻抗，在高功耗應用端以及半導體市場中越來越受矚目，但也…
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在現今半導體工業的製程中晶片的平坦化是必經的過程，而晶錠的切片技術是決定晶片平坦化質量的第一步。如今，固定鑽石線切割（DWS）被普遍應用於晶錠的切片製程。而鑽石線材的切割效率取決於晶錠的材料屬性、冷…
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隨著電子電力系統需求的規格逐年提升，碳化矽（Silicon Carbide, SiC）被視為未來高功率元件的理想材料，但因SiC本身的高硬度及高抗化學性，使其在化學機械拋光（Chemical Mec…
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單晶碳化矽晶圓(Silicon Carbide, SiC)在高功率元件裡相較於單晶單化矽(Silicon)具有高崩潰電壓高寬能隙、高崩潰電壓及高熱傳導率，然而單晶碳化矽具有高硬度(Mohs 9.2)…