檢索結果：共12筆資料 檢索策略： "氫化非晶矽".ckeyword (精準)
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本研究為使用鋁金屬誘發結晶法於非晶矽薄膜中，經由加熱退火後促使非晶矽轉化成多晶矽，使用此方法之優點為可在簡易、低成本的製程中得到晶粒較大之多晶矽薄膜，其中誘發的製程若為操作在低溫下，又可稱為低溫鋁誘…
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本研究為在低溫製程下試圖將非晶矽轉換成多晶矽，多晶矽薄膜的形成方式眾多，直接沉積型的有化學氣相沉積法，或是再結晶型的包含固相結晶法、準分子雷射在結晶法、鋁誘發法等等，但大多都需要搭配高溫的製程。為了…
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本論文第一部分探討金屬鋁層與氫化非晶矽層接合後， 在低溫下鋁擴散進入非晶矽層形成 p 型膜的現象。研究發現， 當擴散溫度 200℃、擴散時間大於 30 分鐘，p 型膜層呈現微 晶化的結構，其導電率可…
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本研究主要利用低溫、低電漿密度的UHV-PECVD系統成長太陽能電池的i層鈍化層，其材料種類有a-Si:H、a-SiOx:H、a-SiNx:H及a-SiCONx:H，並使用金屬遮罩搭配獨立腔體聯結式…
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氧化銦鍚(indium tin oxide, ITO)在可見光範圍具有量好的導電性及透光性，因此在光學元件上常利用ITO來增加載子的傳導與收集。以單晶矽太陽能電池為例，除了可以做為透明導電層之外，還…
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本研究係利用一低溫鋁擴散於非晶矽膜層使其形成p型多晶矽層之技 術，作為矽晶異質接合太陽電池製作之應用。以此技術製備p型膜層的實 驗結顯示，沉積厚度為30nm的非晶矽層與20nm厚的濺鍍鋁層接觸並經 …
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本研究係在以較大面積(20×20 cm2)之射頻電漿輔助化學氣相沉積系統中，通入矽甲烷原料以不同製程條件於單晶矽表面沉積氫化非晶矽形成異質接合結構。研究重點在探究在此一沉積系統中氫化晶矽的鍍…
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本論文針對鍺晶低能隙的特性，開發以鍺晶為基板之鍺晶異質接合太陽能電池，研究重點在比較射頻電漿輔助化學氣相沉積氫化非晶矽以及氫化非晶鍺薄膜來鈍化矽晶或鍺晶表面之效果。實驗以反射式高能電子繞射儀觀察非晶…
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本研究係用射頻電漿系統沉積氫化非晶矽薄膜，調變製程重要參數如氫氣稀釋比、基材溫度、工作壓力以及電極間距等，藉由傅立葉轉換紅外光光譜儀(FT-IR)以及紫外光/可見光光譜儀(UV-VIS)等分析方法，…
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本論文主要目的在探討使用矽甲烷為原料的高頻電漿輔助化學氣相沉積輔以不同製程方式來製備氫化非晶矽薄膜於單晶矽晶片上形成異質接合。研究重點在利用高頻電漿並輔以脈衝調變的技術，找出缺陷最少的氫化非晶矽長膜…