檢索結果：共8筆資料 檢索策略： "林聖賢".ccommittee (精準)
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本篇論文結合微觀動力學模型與密度泛函理論(DFT)模擬出在二氧化釕(110)表面上的氨、氧與水之熱程控脫附儀(TDS)圖譜，以及在不同條件下的氨氣氧化反應之產物(氮、一氧化氮、一氧化二氮)生成速…
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本文藉由密度泛函理論(DFT)探討在釕-鉑/含硼石墨稀表面上的二氧化碳捕捉與水氣轉移反應。在二氧化碳分解與水氣轉移反應的反應機制中，各個最穩定吸附結構以及過渡狀態皆由理論計算所確定。由計算結果得知，…
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本論文使用ab initio分子軌域理論計算反應位能曲線，再配合過渡態理論，求得反應速率常數，以尋求矽基材碳化初期表面反應的主要發生途徑。有關量子化學計算，皆採用 B3LYP/6-31＋G(d) 層…
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本論文中主要是利用密度泛涵理論(DFT)計算方法，研究甲醇氣體分子在IrO2(110)、Ir/IrO2(110)以及O/IrO2(110)表面上的吸附以及裂解之反應機制。經過結構最佳化計算後發現，甲…
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本研究係利用DFT方法模擬0.5 ML和1 ML的NHx (x = 0~3)吸附在純RuO2(110)表面和0.5 ML的NHx (x = 0~3)吸附在富氧表面、NOx吸附在純RuO2(110)表…
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摘要 本文使用 ab initio 分子軌域計算，配合過渡態理論求得的反應速率常數，以尋找矽烷、鍺烷反應系統合成鍺化矽薄膜程序的主要反應發生途徑。有關量子化學計算，皆採用 B3LYP/6-31G[…
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本篇論文採用了密度泛函理論的計算來探討二氧化釕(110)以及二氧化銥(110)表面上之NHx (x = 0–3) 及 N2 的吸附，以及氨氣氧化反應的機制。在吸附的計算中，我們透過態密度、電子密度差…
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我們使用密度泛函數(DFT)法研究SiH4, GeH4, Si2H6, and Ge2H6分解吸附與氫遷移和脫附於SiGe(100)-2x1表面。由於鍺加入於Si(100)-2x1表面內影響了dim…