檢索結果：共13筆資料 檢索策略： "圖案化".ckeyword (精準)
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本研究分為兩個部分，第一部分為高分子刷製備。包括矽晶片表面親水性處理、合成矽烷類自組裝層、固定聚合起始劑，再藉由原子轉移自由基聚合法（Atom transfer radical polymeri…
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本研究分為兩個部分，第一部分為高分子刷製備。包括矽晶片表面親水性處理、合成矽烷類自組裝層、固定聚合起始劑，再藉由原子轉移自由基聚合法（Atom transfer radical polymeriza…
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柔性和拉伸可穿戴感測裝置有許多用途應用，包括電子的皮膚、健康裝置、可柔性顯示器和訊號收集裝置，透過感測器可以收到環境的物理或化學訊號的變化。由許多電路或複雜的分層矩陣陣列組成，並且通過複雜的生產過程…
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氮化鎵被認為是繼矽之後最重要半導體材料，目前主要是以磊晶的方式成長於藍寶石或碳化矽基板，並已廣泛應用於高功率藍白光LED的量產。將氮化鎵磊晶於矽基板上將是未來的新趨勢，近期並將應用於高電子移動速度電…
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本研究分為三個部分，第一部份為微影製程的圖案化轉印，以聚二甲基矽氧烷（Polydimethylsiloxane，PDMS）為材料，注入不同圖案化的矽晶圓，加熱使其固化，當聚二甲基矽氧烷從晶圓上移除時…
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本研究以圖案化氮化鎵為技術主題，針對美國、日本與歐洲專利權人進行專利家族申請歷程之個案分析，藉以歸納出構成專利家族的策略性地規劃，以替專利權人爭取在最短的時間內構築完整的專利家族保護網，並以較具效率…
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隨著半導體元件金屬導線製程不斷微細化追求更高解析度的技術。化學機械拋光平坦化(Chemical Mechanical Polishing/Planarization, CMP)不斷面臨許多挑戰。CM…
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隨著積體電路(Integrated Circuit, IC)迅速發展演進，晶圓上金屬導線之線寬隨科技發展越來越小，在微型化發展過程中，為達金屬導線線寬微小化之目的，則需進行高解析度之微影製程，晶圓表…
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本研究透過交錯式電極最佳化設計，以優化電致動力輔助化學機械平坦化製程(Electro-Kinetic Force Chemical Mechanical Planarization, EKF-CMP…
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於本研究中我們製備了四氧化三鐵超順磁性奈米粒子，並運用溶膠凝膠法(sol-gel process)合成核殼結構(core-shell)之Fe3O4@SiO2奈米粒子，予以改質後，將Protien G…