檢索結果：共9筆資料 檢索策略： "單晶碳化矽".ckeyword (精準)
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單晶碳化矽(SiC)為第三代半導體材料之一，其在材料特性上擁有許多項優點，如：「低漏電流特性、較高熱傳導率、耐化學性及寬能隙等」，而其高硬度及耐化學性質造成碳化矽基板製造困難，且在複線式鑽石線鋸…
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單晶碳化矽(SiC)晶圓是眾所矚目的第三代半導體材料之一，其低漏電流特性、較高的熱傳導率、寬能隙(WBG)和耐化學性，廣泛應用於高功率及高電壓能量轉換裝置元件，然而碳化矽的硬度和脆性使其鑽石線鋸切割…
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單晶碳化矽因材料特性上擁有多項優點，於功率元件市場中備受重視，然而其高硬度及耐化學性質造成基板製造之困難，本研究分別從磨料移除材料和線網運動觀點分析複線式鑽石線鋸加工製程(Multi-wire di…
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單晶碳化矽晶圓(Silicon Carbide, SiC)在材料特性以及機械性質上相較於其他半導體材料，具有更明顯的優勢，如具有高崩潰電壓及低的阻抗，在高功耗應用端以及半導體市場中越來越受矚目，但也…
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單晶碳化矽晶圓(Silicon Carbide, SiC)在高功率元件裡相較於單晶單化矽(Silicon)具有高崩潰電壓高寬能隙、高崩潰電壓及高熱傳導率，然而單晶碳化矽具有高硬度(Mohs 9.2)…
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單晶碳化矽基板(Silicon Carbide, SiC)，具有高崩潰電壓(High Breakdown Voltage)及低的阻抗, 因此在高功率元件市場的潛力無窮，但單晶碳化矽基板也因高硬度及高…
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單晶碳化矽晶圓在LED照明及高功率元件市場的潛力極大，目前單晶碳化矽晶圓的製造過程面臨許多挑戰，其最重要為碳化矽之高硬度及高抗化學性特性造成在化學機械拋光(Chemical Mechanical P…
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單晶碳化矽基板(Silicon Carbide, SiC)在功率元件市場的潛力極大，但單晶碳化矽基板因高硬度及抗化學性等特質，造成製造過程面臨加工時間冗長等問題。本研究主要研究4H單晶碳化矽基板的研…
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複線式鑽石線鋸(Multi-Wire Diamond Wire Sawing, MW-DWS)在目前晶圓切片製程中最具發展性，其中固定式磨料線鋸以鑽石線材進行往復式加工製程，因高效率的特點，在半…