檢索結果:共3筆資料 檢索策略: "周大鑫".ccommittee (精準)
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單晶碳化矽(SiC)為第三代半導體材料之一,其在材料特性上擁有許多項優點,如:「低漏電流特性、較高熱傳導率、耐化學性及寬能隙等」,而其高硬度及耐化學性質造成碳化矽基板製造困難,且在複線式鑽石線鋸…
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本研究為探討搖臂式修整後拋光墊接觸面積對於CMP的影響,首先建立量測接觸面積之方法,接著探討修整與接觸面積之間的關係,利用拋光墊的粗糙度、承載面積比與接觸面積進行相關性分析,因為粗糙度與承載面積比經…
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化學機械平坦化/拋光(CMP)製程已被廣泛用於製造積體電路(IC)。為了使製造IC的成本降低,晶圓的尺寸越來越大,CMP製程就需要使用夠大的拋光墊。較大的拋光墊尺寸會導致在CMP製程中,拋光墊表面形…