檢索結果：共45筆資料 檢索策略： "化學機械拋光".ckeyword (精準)
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隨著半導體元件金屬導線製程不斷微細化追求更高解析度的技術。化學機械拋光平坦化(Chemical Mechanical Polishing/Planarization, CMP)不斷面臨許多挑戰。CM…
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化學機械拋光是半導體製程中可達到全域性平坦化的一項重要技術，但是化學機械研磨應用於銅導線與以Low-k材料為主的介電層之多層導線架構平坦化製程時，易造成殘留應力、刮痕與平坦化後後續清洗等都是需要克服…
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單晶碳化矽晶圓在LED照明及高功率元件市場的潛力極大，目前單晶碳化矽晶圓的製造過程面臨許多挑戰，其最重要為碳化矽之高硬度及高抗化學性特性造成在化學機械拋光(Chemical Mechanical P…
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摘要 本文旨在建立結合分子靜力學與變形理論，而提出分子靜力學是以莫氏力建立模擬系統，模擬CMP粒子的加工行為。本文對奈米加工參數設定方面，是利用六方最密排列的鑽石研磨粒切削完美面心立方體銅，應用二…
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在現今半導體晶片製程中，為達到更小的元件關鍵尺寸(Critical Dimension, CD)，化學機械平坦化(Chemical-Mechanical Planarization, CMP)逐漸成…
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本論文主要研究發展出一套產品的創研流程，將群組的概念套用於QFD及TRIZ中，對品質屋及技術衝突矩陣進行改造，再將兩者銜接合併成一完整之研發流程。 以補償式化學機械拋光為載具，作為進行創新研發之案例…
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電動汽車、再生能源及快速充電等高功率元件的應用矽功率元件已無法滿足市場需求，因此單晶碳化矽 (SiC) 相較於單晶矽具有高寬能隙、高崩潰電壓及高熱傳導率等特性較適合用於高功率元件，然而單晶碳化矽具有…
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半導體製造規格不斷的縮小、以及堆疊層數增加的情況下，使得化學機械拋光製程(Chemical Mechanical Polishing, CMP)對臨界尺寸控制需更加要求，因此在製程終點控制面臨重大挑…
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隨著科技的發展，大眾對於電子產品的需求越來越多樣化，其中具備可撓特性之電子產品是近年來的發展趨勢，為了使傳統的電子元件擁有可撓的功能，大多利用可撓性基板取代傳統硬基板，而因為白雲母(Muscovit…
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在現今半導體晶片製程中，為了增加效能採用多層的電路設計，使得各層電路之平坦化製程相對重要，因此在半導體製程中化學機械平坦化(Chemical-Mechanical Planarization, CM…