簡易檢索 / 檢索結果

  • 檢索結果:共1筆資料 檢索策略: "三維NAND快閃記憶體".ckeyword (精準)


  • 在搜尋的結果範圍內查詢: 搜尋 展開檢索結果的年代分布圖

  • 個人化服務

    我的檢索策略

  • 排序:

      
  • 已勾選0筆資料


      本頁全選

    1

    RDER: Using Read Disturbance to Enhance the Reliability of 3D-TLC NAND Flash Memory
    • 資訊工程系 /109/ 碩士
    • 研究生: 賴詩涵 指導教授: 謝仁偉
    • 干擾錯誤和保留時間錯誤是3D-TLC閃存中的兩種主要錯誤類型。 隨著的P/E cycles增加,氧化層變薄。 因此,存儲在電池中的電荷變得更容易丟失,這將導致Vth發生負向偏移。 同時,由於FN隧道…
    • 點閱:208下載:0
    • 全文公開日期 2025/11/19 (校內網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (校外網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (國家圖書館:臺灣博碩士論文系統)
    1