檢索結果:共2筆資料 檢索策略: ckeyword.raw="高電子遷移率電晶體"
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近年來,第三代寬能隙半導體材料氮化鎵被廣泛應用於高頻及高功率元件,然而高功率操作下元件廢熱堆積,會使元件特性衰退,傳統金屬電極也有熱退化問題。本研究在氮化鎵高電子遷移率電晶體(GaN HEMT)基板…
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隨著功率元件的需求提高,氮化鎵成為被廣泛應用的材料,因為和傳統的矽材料相比,而且氮化鎵有寬能隙、高崩潰電壓、熱穩定性佳、高峰電子速率等優點。氮化鎵和氮化鋁鎵接觸所形成的異質接面時,導致壓電極化…