檢索結果:共4筆資料 檢索策略: ckeyword.raw="非晶矽"
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本研究係以射頻矽甲烷電漿輔助化學氣相沉積系統,藉由調配適當的反應參數反應壓力及三甲基硼(TMB)摻雜比等,分別進行本質非晶矽及p型非晶碳化矽薄膜之沉積,並針對薄膜的結構及光電性質加以分析,以探求非晶…
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目前多晶矽薄膜橫向長晶製程參數研究,大多採用嘗試錯誤的方法,透過實驗室實際製程來對每一個參數進行操控,並以此來瞭解各個參數對長晶的影響。然而橫向長晶的影響參數眾多,因此這樣的方法耗力而且耗時。由於多…
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本研究係以射頻矽甲烷電漿輔助化學氣相沉積系統,藉由調配適當的反應參數如基材溫度、反應壓力及甲烷摻雜比等,分別進行本質非晶矽及p型非晶碳化矽薄膜之沉積,並針對薄膜的結構及光電性質加以分析,以設計出非晶…
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本論文以平板式電漿輔助化學氣相沉積系統為基礎,分為兩部分:第一部份為成長低介電係數薄膜,實驗採用一矽烷偶合劑γ-glycidoxypropyl-trimethoxysilane(γ-GPS)及辛氟甲…