檢索結果：共4筆資料 檢索策略： ckeyword.raw="離子佈植"
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本計畫係探討應用電漿浸沒離子佈植技術(PIII, Plasma Immersion Ion Implantation)於Al-Zn-Mg鋁合金來增進其表面特性之研究。在本研究內以AA7005為基材，…
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本論文主要探討二硫化鉬(MoS2) 層狀半導體單晶之p型摻雜與表面鈍化製作。實驗上以離子佈植(ion implantation)方式，將具有表面電子聚集的原始表面之二硫化鉬 (簡稱non-fresh…
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本論文主要是藉由離子佈植與熱氧化的方式在鋅箔上成長氧化鋅奈米針結構。改變不同離子佈植以及佈植時間的不同，探討其表面結構、場發射以及發光行為。實驗分析的結果顯示，氧化鋅奈米針的成長方向與鋅箔基板的晶粒…
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隨著半導體技術的發展，元件的尺寸持續微縮，使得對製程的要求更為精確、嚴格。在半導體退火製程多年的發展中，雷射退火展現出它的優勢，成為了現今半導體主流的退火方法。 本研究將以雷射退火為主軸，…