檢索結果:共2筆資料 檢索策略: ckeyword.raw="複晶矽"
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本研究的目的主要在設計及製造一種單層多晶矽非揮發性記憶元件,此元件係由N-型場效電晶體 (NMOSFET) 及金氧半 (MOS)電容器組合而成。場效電晶體的閘極和電容器的下電極共用同一層多晶矽,而此…
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複晶矽薄膜電晶體(Poly-Si TFTs)已經廣泛被應用在不同的產品上,例如:靜態隨機處理記憶體(SRAMs)、光偵測放大器、掃描器、主動式矩陣液晶顯示器(AMLCDs)等,原因在於複晶矽薄膜電晶…