檢索結果：共42筆資料 檢索策略： ckeyword.raw="碳化矽"
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碳化矽(SiC)作為第三代半導體，由於其低功耗，高功率的特性和適合高壓，大電流的操作環境，使其成為電動車充電和5G基地台的基礎設備。但由於碳化矽材質偏硬脆，使得切割和研磨的難度大幅提升。在封裝後段製…
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本研究使用AZ91合金作為基材，使用粒徑尺寸50 nm與1 μm SiC顆粒，固定添加碳化矽比例2 wt.%分別製成單一粒徑尺寸(50 nm、1 μm)複合材料與同時添加不同粒徑尺寸(50 nm+1…
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本論文針對碳化矽的低溫製備，考慮利用具有低共晶點的金屬矽化物合金作為合成碳化矽的矽來源，利用金屬矽化物合金比起原始組成之金屬有熔點急劇下降的特性，期望在較低的溫度下使其與活性碳反應來生成碳化矽鍵…
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交流-直流電源轉換器加入功率因數修正級的主要優勢為降低諧波失真及較佳的功率因數。傳統功率因數修正的缺點包含在二極體橋式有高的導通損失、低功率密度、多元件與高成本，無橋式圖騰柱功率因數修正器在功率因數…
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近年來，碳化矽(SiC)被廣泛研究使用，而隨著功率元件的蓬勃發展，將碳化矽用來作為功率元件的材料之研究也越來越多，因此本論文即是在探討用碳化矽來當作材料之功率電晶體之研究。 此研究目的就是致力於製作…
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本論文針對碳化矽的低溫製備，考慮利用矽化物合金的低融點特性，期望在較低的溫度下使其與活性碳物種反應來生成碳化矽鍵結。 本研究將採用電子束與熱蒸鍍法共蒸鍍石墨與金矽/鋁矽合金，分別於合金共晶溫度(36…
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寬能隙元件在近幾年中逐漸發展成熟，其中以碳化矽和氮化鎵材料為主的元件，展現出其較低導通損、低切換損，且因其適合用於高頻操作及高功率的應用，因此在許多方面都比發展已久的矽功率開關還要有更佳的特性，得以…
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一間企業所申請的專利可以忠實的表現出一間企業的技術發展，同樣的道理，觀察一個國家專利文獻的申請狀況也可以表現出一個國家的技術發展。若是重要國家，所有申請人都會想在該國申請專利，則該國家的專利文獻更可…
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近年來隨著太陽能、風力等再生能源增加，為了確保供電系統之穩定性，故透過儲能系統穩定電網已成為主要的解決方式，因此本論文旨在設計出一台雙向交錯式混合調變逆變器，使其可應用於儲能系統之需求管理模式，當電…