檢索結果：共11筆資料 檢索策略： ckeyword.raw="硒化銦"
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本論文是探討In-InSe異質結構奈米線的成長機制及製備InSe奈米線之光感測元件。首先，此兩種奈米線皆以真空液壓鑄造方式製備，前驅物材料為不同比例之銦-硒系統金屬硒化物粉體，經均混後置於真空封口之…
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本論文利用化學氣相傳導法 (Chemical Vapor Transport method，CVT）成長硒化銦系列晶體，目前成功成長出α-In2Se3層狀單晶, 之後進行晶體結構與光學特性分析。…
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本論文主要研究為利用熔融體生長法 (Liquid phase growth) 成長層狀化合物半導體-硒化銦摻雜鎘原子系列 (InSe:Cd x%, x=0.5, 1, 5) 和硒化銦摻雜錫原子系列 …
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本論文，對半導體奈米材料研究分為三個部分，分別為InSb 奈米線之金屬氧化物半導體場效電晶體(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, M…
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本論文主要探討以化學氣相傳導法成長之硒化銦(InSe)層狀半導體奈米結構光電導及電傳輸特性。利用機械剝離法將硒化銦單晶分離成二維奈米結構，並利用聚焦式離子束顯微鏡製作二維奈米結構之歐姆電極。對硒化銦…
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本論文探討以化學氣相傳導法成長之二硫化鉬(MoS2)及硒化銦(InSe)層狀半導體之高頻時間解析光電導特性。實驗發現二硫化鉬及硒化銦皆存在包含快速及慢速的兩段式光電流響應。為了取得那段快速光電流響應…
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本論文以化學氣相傳導法成長Ga1-xInxSe (0≦x≦0.5) 之三元化合物系列半導體，並對此系列晶體進行晶體結構分析、光學與電性量測，藉此研究及討論其特性。此外因為硒化鎵與硒化銦皆為發光訊號極…
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本研究主要分別以2:3與1:1兩部份的銦硒系統探討。第一部份，以高均勻性金奈米粒子催化的In2Se3奈米線透過氣-液-固（VLS）機制的快速熱退火（RTA）處理成長。利用金奈米顆粒催化成長In2Se…
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本研究利用化學氣相傳導法成長硒化銦塊材，再以機械剝離法取得硒化銦薄片，先利用電荷中性點確認本質硒化銦為n型，再以掃描式電子顯微鏡觀察樣品表面樣貌，接著用氧電漿進行氧化處理以改變其半導體特性，分別用X…
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