檢索結果：共4筆資料 檢索策略： ckeyword.raw="熱退火"
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石墨烯僅有原子級的厚度且不佔有體積，比表面能相當高，屬於半導體材料及具有極高的載子遷移率，氣體吸附的電荷轉移靈敏度高，對於製作成元件同時兼具傳輸層與感測層的特殊性質，對於各種分子的吸附具有相當的優勢…
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本論文旨在探討熱退火溫度(thermal annealing temperature)對奈米碳管披覆金屬氧化物的影響。以矽為基板(substrate)成長多壁式奈米碳管(multiwall carb…
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本實驗主要探討熱退火溫度對於二氧化鈦(Titanium dioxide, TiO2)與氧化鋅(Zinc oxide, ZnO)的影響, 光電導效率及表面物理機制. 利用定義歸一化增益(Γn), 去除…
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本篇論文主要探討改變不同的陰極電極(metal cathode)以及熱退火(thermal annealing)處理的方式對於元件之短路電流(short circuit-current)、開路電壓(…