檢索結果:共4筆資料 檢索策略: ckeyword.raw="激子躍遷"
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本論文探討四元及三元硒化合物半導體之單晶成長與特性研究,晶體成長方式使用化學氣相傳導法以碘做為傳導劑成長CuInP2Se6 以及TlGaSe2 半導體單晶,並藉由電子顯微鏡(Scanning …
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本論文使用化學氣相傳輸法 (Chemical vapor transport, CVT) 以碘為傳導劑成長W(SxSe1-x)2 (0 ≤ x ≤ 1, Δx = 0.2和x = 0.5) 系列層狀…
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本論文主要探討利用化學氣相傳導法成長層狀半導體MoS2摻雜不同過渡性金屬MoS2:X (X=Re,Nb,Fe,Co,Ni) 之相關特性。 在日本National Institute of A…
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層狀單晶半導體Mo1-xWxSe2屬於過渡性金屬雙硫屬化合物(Transition-metal-dichalcogenides) 簡稱TMDCs,層與層之間僅有微弱的凡得瓦爾作用力 (Van der…