檢索結果:共13筆資料 檢索策略: ckeyword.raw="氮摻雜"
個人化服務 :
排序:
每頁筆數:
已勾選0筆資料
1
類鑽碳膜(Diamond-like carbon, DLC)具有高硬度、高絕緣性、高生物相容性、高化學惰性和導熱性等優點。本研究中,使用ECR電漿與RF電漿組成之混成式電漿化學氣相沉積系統( Hyb…
2
石墨烯為原子級二維薄膜,擁有高比表面積及高載子遷移率等特性,可望超越現今的矽等半導體材料。然而由於吸附空氣中的氧原子及水氣造成原生的p型摻雜,因此改變石墨烯的電子結構一直是重要課題。其中氮摻雜可使石…
3
此實驗使用反應式離子束濺鍍法沉積摻氮氧化鋅薄膜,採用陽極層離子源,以鋅為靶材,同時通入氬氣、氧氣及氮氣,探討氧/氮流量對摻氮氧氧化鋅薄膜的特性影響。實驗結果顯示在氧流量0.5 ~ 4.0 sccm,…
4
本研究,我們在正負兩極皆使用電池材料Li3V2(PO4)3與電容材料摻氮碳材=1/1(w:w)製備成雙材料電極,組裝成混成電容器。透過X光繞射(XRD)來分析Li3V2(PO4)3的晶體結構,透過元…
5
本論文以實驗室自行壓製陶金靶材,採用RF反應式濺鍍法及利用氮氣混入濺鍍氣體進行製備n型的CuSnSO薄膜與p型的CuSnSNO薄膜,並探討靶材中不同SnS含量比例、沉積溫度及氮元素的摻雜對於薄膜品質…
6
本論文以含氮化物粉體的方式將N摻雜在IGZO前驅粉體中,並利用本實驗的真空熱壓機壓製而成N摻雜IGZO (IGZNO)靶材,經濺鍍獲得以N原子取代O原子的位置獲得N摻雜IGZO薄膜,期望藉由…
7
本論文以本實驗室自行壓製陶金(陶瓷+金屬)靶材,採用RF反應式濺鍍法製備N摻雜的IGZO薄膜,以N取代O的位置,期望提高IGZO薄膜內的氮含量來提升載子遷移率及提升電性穩定性。實驗中,觀察在不同氧氣…
8
石墨烯為一新興二維碳材料,擁有較矽良好之導電性質,而室溫下具備高電子遷移率,使其多應用於場效電晶體之製作。以電子做為傳輸之N型電晶體的效能較P型佳,因此本實驗以N型材料為電晶體的通道。由於空氣中的水…
9
本研究探討氮摻雜還原石墨烯氧化物(N-doped rGO)在非對稱性的離子液體[EMI][TFSI]中的電容相關特性。我們採用Staudenmaier法將石墨烯氧化物剝離且還原,發現氮摻雜還原石墨烯…
10
本論文成功使用熱化學氣相沉積法成長六角形排列之奈米碳管束陣列,並將氮原子摻雜於奈米碳管中增強其場電子發射特性。此論文中分別使用二種方法將氮原子摻雜於奈米碳管。(1)利用熱化學氣相沉積法成長奈米碳管時…