檢索結果:共2筆資料 檢索策略: ckeyword.raw="導電機制"
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本研究使用Cu和SiO2靶材以共濺鍍法製備50nm厚之Cu-SiO2薄膜,Cu-SiO2薄膜之Cu/(Cu+Si)原子比為19.9%,經由XPS和TEM之結果可以確認中間層的型態為大小約為4~6nm…
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本研究利用傳統固態反應法並藉由添加不同混合比例的氧化鑭 (La2O3) 或氧化釤 (Sm2O3) 製備含鑭及含釤之鈦酸鋇靶材,主要以添加物的混合莫爾比例來區分,依序為1%La、3%La、5%La、7…