檢索結果：共11筆資料 檢索策略： ckeyword.raw="奈米結構"
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二硒化錸(ReSe2)是一種獨特的過渡性金屬硫屬化合物層狀半導體，具有明顯的平面內非等向特性，可作為極佳的極化相依光電子元件材料。然而其二維奈米結構的基本電物理與光電導特性至今仍較少被研究，因此本論…
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本研究預期以永續之太陽能量作為光源，利用玻璃基板之光學特性以吸收部分紫外線；利用陽極氧化鋁之奈米多孔特性，使短波長光線發生散射損耗，並破壞光線之傳遞；以硫化鉛之光學可調控性濾除太陽能量偏高之光線，而…
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近來奈米結構銀顆粒因其廣泛的應用而受到越來越多的關注，常用於導體、電子元件、催化劑及傷口敷料。雖然已有多種製備銀顆粒的方法，譬如溶膠凝膠法及化學還原法，但噴霧熱解法是較為低成本且可量產的製程。前…
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本文藉由改變離子束轟擊角度以及改變離子束能量，使Si (100) 基板表面產生波紋形貌。使用的離子種類為氬離子，能量為6 ~ 10 keV，電流密度為2 A/cm2，總離子量為 ~3.61016…
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硫化鋅因具有3.7eV的能帶差，且是直接能隙材料，所以一直被視為極具有潛力的光電材料之一。硫化鋅也是第一個被發現的半導體之一，並且至今已應用在許多不同的領域中，比如：光電元件、發光二極體、平面顯示器…
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本論文主要探討利用化學氣相傳導法(chemical vapor transport)成長之三硒化二銦 (In2Se3) 層狀半導體奈米結構之光電導及電傳輸特性。利用機械剝離法將三硒化二銦單晶分離成二…
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在我們改良有機金屬化學氣相沉積系統的氧氣環和噴頭後，得到的二氧化銥結果有明顯的改善了均勻性和再現性，並且已成功在SA(100)和SA(012)基板上使用兩種不同的前驅物(C6H7)(C8H12)Ir…
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中文摘要 本論文研究在氧化鋁基材上利用網印法塗佈高溫銀膠，經高溫燒結後作為電極，接著以真空磁控濺鍍法於其上成長鈷薄膜，再於不同氣氛下以加熱板直接加熱使其表面產生微奈米結構氧化鈷，以提高其比表面積，製…
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本論文主要是探討量子侷限效應外層狀半導體具有不同厚度的二硫化鉬(MoS2)及二硫化鎢(WS2)奈米結構之電傳輸特性。研究結果發現利用簡單的機械剝離法所產生的奈米結構表現出比塊材晶體要高出了幾個數量級…
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