檢索結果：共4筆資料 檢索策略： ckeyword.raw="多重量子井"
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我們在氮化銦鎵/氮化鎵(InGaN/GaN)多重量子井(MQW)發光二極體的能障層當中，加入氮化銦鎵/氮化鎵(InGaN/GaN)多重量子能障(MQBs)異質結構，並藉由變溫與變電流電激發光光譜的量…
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本論文使用InGaN/GaN多重量子井主動層結構磊晶在圖案化藍寶石基板的晶圓，以表面結構化處理的技術研製p-i-n光偵測器，我們製作兩種不同材料的表面結構處理，分別為：(1)ITO表面粗糙化；以及(…
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由於銻砷化鎵/砷化鎵(GaAs1-xSbx/GaAs)量子井的特殊能帶排列，使其可達到長波長的發光，因此可應用於1.3 μm的光纖傳輸光源上，然而對於銻砷化鎵/砷化鎵量子井結構能帶排列為第一型(ty…
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本論文主要利用無接點式電場調制反射(CER)光譜來研究分子束磊晶所成長多重量子井和非對稱耦合量子井結構。 從CER光譜中能在很廣泛的範圍顯現出這些結構可能的光學躍遷訊號；然後藉由一階導數的勞倫茲…