檢索結果：共10筆資料 檢索策略： ckeyword.raw="光激發螢光"
個人化服務 ：
排序：
每頁筆數：
已勾選0筆資料
1
本論文以化學氣相傳導法成功成長II-VI族和III-VI族硫屬化合物半導體，分別為相三硒化二銦、三硫化二鎵和硫化鋅氧系列晶體，然後對晶體進行結構分析，且由本實驗室光電量測對其特性加以量測探討。藉由…
2
本研究利用反應式磁控濺鍍(Magnetron sputtering)系統配合高真空下的熱退火製程，成功製備出含有不同氮、氧濃度之氮氧化矽(SiOxNy)單層薄膜以及氮氧化矽/矽(SiON/Si)之多…
3
本研究主要是對微光致螢光量測系統進行光路設計與架設，結合CCD攝影機做影像擷取，讓LED半導體元件的相關研究人員便於進行螢光光譜的分析。實驗系統架構中包含了一片特殊的反射鏡，中央加工一個小孔洞來替代…
4
本論文藉由四異丙基鈦前驅物進行化學氣相沉積，研究二氧化鈦奈米桿成長於二氧化錫摻雜氟(FTO)的導電玻璃及SA(100)基板上。藉由控制不同的化學氣相沉積成長條件，可得到金紅石結構、銳鈦礦結構與兩結構…
5
本論文利用熱化學氣相沉積系統在藍寶石基板上成長單層二硒化鎢，由光學顯微鏡及掃描式電子顯微鏡觀察樣品的表面型態，接著利用原子力顯微鏡和拉曼散射光譜確認樣品及厚度，再用X光電子能譜儀確認成分比例. 由於…
6
本論文主要是來探討原子層級的二硫化鉬薄膜的製備與其應用. 本論文主 要是利用化學氣相沉積法合成原子層級的二硫化鉬薄膜於基板上, 而基板則是 選用藍寶石與石英基板, 待合成完二硫化鉬薄膜後, 利用光…
7
本論文以 垂直式布里茲曼 垂直式布里茲曼 垂直式布里茲曼 法成長 法成長 Ga Se 1-xSx(x = 0 、0.10.10.1、0.20.2 、0.30.3 、 0.40.4 、0.5)0.5)…
8
由於銻砷化鎵/砷化鎵(GaAs1-xSbx/GaAs)量子井的特殊能帶排列，使其可達到長波長的發光，因此可應用於1.3 μm的光纖傳輸光源上，然而對於銻砷化鎵/砷化鎵量子井結構能帶排列為第一型(ty…
9
本論文主要利用表面光電壓(SPV)與光激發螢光(PL)光譜來研究在溫度變化下，加入不同In含量之高應力InxGa1-xAs/GaAs量子井結構的光學特性，其中In成分為x = 0.395 ~ 0.4…
10
本論文以化學氣相傳導法並利用三氯化碘為傳導劑成長InSe和In6Se7硒化銦系列半導體，對此系列晶體進行晶體結構分析，並藉由光學及電學量測對其特性加以研究及討論。 藉由能量質譜儀量測確定成長材料之元…