檢索結果:共1筆資料 檢索策略: ckeyword.raw="互補式金氧半場效電晶體"
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本研究成功以蔽蔭遮罩圖案化製程製作多晶矽薄膜電晶體和多晶矽反相器,所製作的p型與n型薄膜電晶體其通道長和寬分別為30和80 μm,載子移動率分別為12.19和6.5 cm2/V-s,ION/IOFF…