檢索結果:共21筆資料 檢索策略: cadvisor.raw="葉文昌"
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本研究開發出全濺鍍鍍膜製程之矽晶粒定位薄膜電晶體,其中以室溫反應性脈衝直流磁控濺鍍法實現了7 MV/cm崩潰電場之氧化矽膜,利用退火後其固定電荷達1.95×1011 cm-2,介面陷阱密度為6.4×…
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本研究以Silvaco公司所開發的元件模擬軟體ATLAS模擬單晶矽太陽能池並觀察n+層(射極)及p+層的厚度及摻雜濃度對元件特性的影響,模擬結果顯示,n+層最佳厚度為0.3μm摻雜濃度為5×1018…
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為了獲得高性能高均一性的薄膜電晶體,我們藉由透鏡陣列輔助單晶定位技術,將TFT的通道位置以避開晶種的方式製作於粒徑為10μm的單晶矽晶粒中。另外我們也以半吸光層輔助結晶的技術,成功的在非晶矽膜以及多…
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為了達成塑膠基板薄膜電晶體的目標,我們成功開發出利用半吸光層經過準分子雷射回火後,可以實現低溫閘極絕緣膜的改質效果。而此絕緣膜是由100℃具吸收係數的SiONx與SiO2組成。 我們利用吸收係數40…
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本研究探討準分子雷射結晶化矽厚膜可行性,並以此膜製作薄膜太陽能電池。研究發現,雷射退火矽膜之最高厚度為700 nm,並出現完全溶化之碟狀結晶(Disc grain)。利用SLS法後可再室溫下產生7 …
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本研究開發氧化矽閘極絕緣膜及多晶矽膜之低溫濺鍍沉積技術,以利塑膠基板上薄膜電晶體之製作。此外,我們利用準分子雷射退火技術實現鍺膜之超級橫向成長,並觀察此長晶現象。本研究在室溫下藉由脈衝直流磁控反應性…
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本論文以直流磁控式濺鍍法實現矽/鍺膜同/異質磊晶,成功地在矽基板上達成矽膜和鍺膜的同異質磊晶成長,以及在鍺基板上之鍺膜同質磊晶。最後並以濺鍍磊晶成長矽膜於矽基板上之方式形成n+-p接面二極體元件。論…
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成功的利用濺鍍法,配合蔽蔭遮罩沉積薄膜暨圖案化的方式,製作多晶矽薄膜電晶體於玻璃基板上,所製作的TFT On/Off電流比為103,Mobility為10 cm2/V-S, Threshold vo…
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本研究在濺鍍壓力為5 mTorr及載台溫度為250℃的條件下成功開發出矽膜濺鍍磊晶技術,其所需真空度為1.0×10-6 Torr。另外在檢測磊晶矽膜的品質部份,本研究以Raman、RHEED系統量測…
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本研究以溶膠凝膠法開發磷玻璃溶液做為磷擴散源,經旋轉塗佈於Textured單晶矽晶圓並高溫退火成功形成pn接面。以此方式製作太陽電池,於標準AM 1.5光源下,雖不具抗反射膜,但轉換效率可達9.93…