檢索結果:共48筆資料 檢索策略: cadvisor.raw="何清華"
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本論文使用化學氣相傳導法(Chemical Vapor Transport, CVT)並以碘(I2)作為傳導劑,成長硒化鍺(GeSe)與碲化鎵(GaTe)層狀半導體。針對此晶體進行能量散射光譜儀…
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本論文將研究高導電度硫屬化合物之傳輸特性,首先,我們使用化學氣相傳導法(Chemical Vapor Transport,CVT)並以碘作為傳導劑成長二硫化鈦(TiS2)與二硒化鈦(TiSe…
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本論文主要研究的晶體材料可分為兩類,其一類是二維有機無機混成鹵化鈣鈦礦結構,使用緩速蒸發恆溫溶液生長技術成長,藉由控制無機層的層數(n)可改變其吸收與放光的波長位置,n越大則吸收與放光波長越往…
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本論文探討四元及三元硒化合物半導體之單晶成長與特性研究,晶體成長方式使用化學氣相傳導法以碘做為傳導劑成長CuInP2Se6 以及TlGaSe2 半導體單晶,並藉由電子顯微鏡(Scanning …
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本論文以化學氣相傳導法成功成長II-VI族和III-VI族硫屬化合物半導體,分別為相三硒化二銦、三硫化二鎵和硫化鋅氧系列晶體,然後對晶體進行結構分析,且由本實驗室光電量測對其特性加以量測探討。藉由…
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本論文利用化學氣相傳導法成長出硫化錫(SnS)與硒化錫(SnSe)之單晶,利用能量散佈儀確認元素成分比例符合。透過X光繞射、穿透式電子顯微鏡與拉曼散射光譜可確認兩者均為正交晶系(Orthor…
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本論文利用化學氣相傳導法(Chemical Vapor Transport method,CVT)成長硫化鉍系列晶體,藉由使用不同傳導劑三氯化碘或碘成功成長出Bi2S3和(Bi(Bi2S3)9I3)…