檢索結果:共3筆資料 檢索策略: ckeyword.raw="發光元件" and ckeyword.raw="發光元件"
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本論文研究應用於晶片間光互連的積體電路,利用台積電(TSMC)之0.35μm SiGe 3P3M製程和0.18μm CMOS 1P6M製程來設計積體電路。文中探討三個主題,矽鍺發光與矽鍺檢光晶片、可…
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本論文中設計一個新結構的矽發光元件,與一般論文中的矽發光元件相較,具有不同的操作方式與較高的效率。它的優點有:低電壓操作、低功率消耗、高外部量子效率及高功率轉換效率。最特別的是電壓只有1伏特左右,可…
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本論文探討晶片與晶片間光互連積體電路之設計與實現,包含了發光元件、檢光元件以及轉阻放大器。第一部分為差動式輸出轉阻放大器的設計,使用TSMC 0.35um Mixed-Signal 2P4M Pol…