檢索結果:共1筆資料 檢索策略: ckeyword.raw="準分子雷射退火" and ckeyword.raw="熱滯留層輔助結晶"
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我們已經成功利用熱滯留層輔助結晶技術,經由準分子雷射退火後,可以實現全部充滿橫向成長寬度14um長的矽島。然後我們結合全部橫向長晶的矽島和雙閘極的架構去製造高性能的薄膜電晶體。 另外我們成功地開發了…