檢索結果:共2筆資料 檢索策略: ckeyword.raw="氫化非晶矽" and ckeyword.raw="鈍化層"
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本研究主要利用低溫、低電漿密度的UHV-PECVD系統成長太陽能電池的i層鈍化層,其材料種類有a-Si:H、a-SiOx:H、a-SiNx:H及a-SiCONx:H,並使用金屬遮罩搭配獨立腔體聯結式…
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本論文第一部分探討金屬鋁層與氫化非晶矽層接合後, 在低溫下鋁擴散進入非晶矽層形成 p 型膜的現象。研究發現, 當擴散溫度 200℃、擴散時間大於 30 分鐘,p 型膜層呈現微 晶化的結構,其導電率可…