檢索結果:共2筆資料 檢索策略: ckeyword.raw="氧化銦鎵鋅" and ckeyword.raw="薄膜電晶體"
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一般而言,薄膜電晶體使用黃光微影製程來進行圖案化以防止柵極漏電流,但是該方法不適合用於溶液製程的薄膜電晶體。我們開發了一種簡單快速的方法,透過旋轉塗佈自組裝單分子來製造具有低柵極漏電流的薄膜電晶體。…
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金屬氧化物薄膜電晶體一般都採用下閘極上接觸式的結構,以防止TFT-LCD的背光源照射到通道層材料進而影響其電特性。另外在此下閘極結構中,因為要考慮到光罩間對位的誤差,而將其汲極和源極設計成與閘極各有…