檢索結果:共2筆資料 檢索策略: ckeyword.raw="氧化石墨烯" and ckeyword.raw="複合式拋光液"
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單晶碳化矽晶圓(Silicon Carbide, SiC)在高功率元件裡相較於單晶單化矽(Silicon)具有高崩潰電壓高寬能隙、高崩潰電壓及高熱傳導率,然而單晶碳化矽具有高硬度(Mohs 9.2)…
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單晶碳化矽晶圓(SiC)為一高崩潰電壓及低阻抗的材料,因此在高功率元件市場上有較大之需求,然而因單晶碳化矽晶圓之高硬度、高抗化學性等性質,使其在製造過程有加工時間繁長及成本高等問題。本研究主要針對單…