檢索結果:共12筆資料 檢索策略: ckeyword.raw="氧化亞銅" and ckeyword.raw="氧化亞銅"
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本研究以反應式離子束濺鍍法於SiO2及玻璃基板上以三種氬氧氣體比例在基板溫度300C下沉積氧化銅及摻鋁氧化銅薄膜,探討氣體流量及摻鋁濃度(0~10 at.%)對所沉積薄膜之影響。研究結果顯示當…
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在此研究中,製備出p-氧化亞銅/ n-二氧化鈦異質接面光觸媒,並將其成功應用於光催化還原反應,本研究利用還原六價鉻來測試光觸媒光催化還原的能力。 本研究使用n型半導體-二氧化鈦為載體,在外面成長氧化…
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本研究以原子力顯微鏡(AFM)於水溶液環境即時觀察黃銅合金於0.1 wt% 氯化銅水溶液中的腐蝕現象。結合場發射電子微探儀,觀察分析黃銅試片表面於腐蝕時所生成的蝕孔及氧化物,並利用X光繞射儀分析試片…
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此研究先以反應式離子束濺鍍法於SiO2基板上依不同的氧氬比沉積銅氧化物薄膜,由Ar:O2=3.5:2.5的比例沉積300 oC與400 oC的氧化銅和Ar:O2=4.2:0.7的比例沉積300 oC…
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氣候變化威脅著全球生態系統,迫使各國政府積極制定法規和環境策略,以追求減少二氧化碳排放的可持續解決方案。全球科學家正在尋求可持續的解決方案,來應對大氣中不斷上升的二氧化碳水平,其中一個解決方案是人工…
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本研究利用不同參數之反向式濺鍍蝕刻法(inverse sputter etching technique)轟擊半導體材料表面以去除潛在的表面汙染物,如天然氧 化物與碳氫化合物,使其半導體-金屬接面之…
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此研究以反應式離子束濺鍍法於SiO2/Si基版及石英基板上沉積氧化銅/氧化亞銅薄膜,探討氬/氧流量及基板溫度對所沉積氧化銅/氧化亞銅薄膜之影響。研究結果顯示在300℃或400℃所沉積之氧化銅/氧化亞…
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本研究以氧化亞銅奈米立方體做為非酵素型葡萄糖感測器的電化學觸媒,在氧化亞銅奈米立方體的製備方面,藉由合成時調控不同濃度之陽離子界面活性劑cetyltrimethylammonium bromide …
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本研究是利用Z-scheme異質結構作為光觸媒還原二氧化碳形成一氧化碳以及碳氫化合物。本實驗成功利用水熱法將氧化亞銅修飾於二硫化錫表面,藉以形成Z-scheme異質結構,用以進行光催化二氧化碳還原反…
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本研究以金屬鈦(Titanium, Ti)為上下電極,氧化亞銅(Cuprous oxide, Cu2O)為介電層,利用磁控濺鍍將薄膜沉積於玻璃基材上,並製作出不同中間層厚度之Ti/Cu2O/Ti三層…