檢索結果:共1筆資料 檢索策略: ckeyword.raw="太陽電池" and ckeyword.raw="氮化銦鎵"
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InxGa1-xN系統之能隙可以由3.42eV (GaN)調變至0.7eV (InN),其能隙幾乎涵蓋了地球表面上收到的太陽光的頻譜,所以選擇氮化鎵系統半導體材料進行太陽電池之研究。 本論文主要將以…