檢索結果:共1筆資料 檢索策略: ckeyword.raw="單極性電阻轉換" and ckeyword.raw="氧空缺"
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金屬氧化物電阻式隨機存取記憶體(RRAM)是下一代非揮發性記憶體中最有潛力得候選人之一,其研究和發展引起相當大的關注,由於具有低成本、低耗能、操作速度快、保存資料能力佳等優點外,結構簡單也是一大特色…