檢索結果:共1筆資料 檢索策略: ckeyword.raw="化學氣相傳導法" and ckeyword.raw="晶像極化"
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中文摘要 本論文運用化學氣相傳導法成長硫化鍺 (GeS) 晶體,成長溫度為 600°C 且溫度梯度為-2.5°C /cm,維持 14 天後於低溫沉積端慢慢堆疊成長出晶體,最後成功長出 GeS 層狀半…