檢索結果:共1筆資料 檢索策略: ckeyword.raw="初期成長" and ckeyword.raw="碳化矽"
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本研究乃以實驗室組裝之感應耦合電漿(ICP)反應系統來低溫氧化4H碳化矽晶片以製備閘極介電層。實驗上,以連結反應腔體至X射線光電子能譜儀(XPS)測量腔體,達到階段氧化後可不需暴露試片於大氣即可進行…