檢索結果:共2筆資料 檢索策略: cdept.raw="電子工程系" and ckeyword.raw="高載子遷移率"
個人化服務 :
排序:
每頁筆數:
已勾選0筆資料
1
金屬氧化物半導體薄膜電晶體(Oxide-TFT)由於其高載子遷移率、高可見光透明性、大面積均勻性、低溫製成及低漏電流…等,於近年來常被應用於大尺寸面板甚至是攜帶型產品中作為驅動或是補償電路的元件使用…
2
由於金屬氧化物薄膜電晶體獨特的製程特質及材料特性,使它們在新興的薄膜電晶體應用上成為最具有競爭性的選擇,包含均勻性好可以應用在大尺寸的面板、低溫製程而應用於可撓式的結構以及低成本製作等特殊需求的產品…