檢索結果:共1筆資料 檢索策略: cdept.raw="電子工程系" and ckeyword.raw="非揮發性元件"
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本研究的目的主要在設計及製造一種單層多晶矽非揮發性記憶元件,此元件係由N-型場效電晶體 (NMOSFET) 及金氧半 (MOS)電容器組合而成。場效電晶體的閘極和電容器的下電極共用同一層多晶矽,而此…