檢索結果：共10筆資料 檢索策略： cdept.raw="機械工程系" and ckeyword.raw="碳化矽"
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本研究使用AZ91合金作為基材，使用粒徑尺寸50 nm與1 μm SiC顆粒，固定添加碳化矽比例2 wt.%分別製成單一粒徑尺寸(50 nm、1 μm)複合材料與同時添加不同粒徑尺寸(50 nm+1…
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本文主要為探討利用氬銲被覆陶瓷粉末及不同合金粉末於球墨鑄鐵表面之磨耗行為研究，主要以SiC陶瓷粉末為基礎粉末，並添加Cr、Mo、Ni等元素粉末，以探討不同元素對被覆層的影響，並藉由被覆層中的顯微組織…
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本研究之內容為針對高壓電纜的五分割導體，進行模具開發及電纜之試生產，主要利用壓縮率法，以不同的壓縮率進行壓輪模具的設計，生產測試的方式則使用試誤法。共進行三次的試生產，第一次試生產只進行18 B (…
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碳化矽是一種具有優異電子特性和高熱穩定性的半導體材料，4H導電型碳化矽基板作為高功率半導體元件製造中的最常用也最重要的材料，其中晶體缺陷對對後續元件的品質有很大的影響，輕則元件效率降低重則元件失效，…
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本研究以AZ91合金作為基材，添加微量元素銻 ( Sb ) 和奈米粒徑之碳化矽 ( SiC ) 顆粒。透過攪拌鑄造法製成鎂基複合材料，分別 製成單一添加與混合添加之合金材料，並進行成分分析、顯微結構…
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電動汽車、再生能源及快速充電等高功率元件的應用矽功率元件已無法滿足市場需求，因此單晶碳化矽 (SiC) 相較於單晶矽具有高寬能隙、高崩潰電壓及高熱傳導率等特性較適合用於高功率元件，然而單晶碳化矽具有…
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本文將不同的陶瓷粉末，碳化物(碳化矽、碳化鎢)、硼化物(硼化鎢、二硼化鈦)及氮化物(氮化鈦)，利用惰性氣體鎢極電弧銲(GTAW)被覆於Ti-6Al-4V基材表面，一方面為了改善Ti-6Al-4V表面…
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本文將不同比例之稀土元素氧化釔(Y2O3)添加至主要陶瓷粉末碳化矽(SiC)及金屬粉末(Ni)當中混合均勻，進行氬銲被覆(Gas tungsten arc welding；GTAW)於Ti-6Al-…
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本研究使用 Mg97Y2Zn1 (at.%)合金作為基材，添加不同成分比例和粒徑尺寸之碳化矽(SiC)顆粒，以攪拌鑄造的方式製成鎂基複合材料。首先使用粒徑尺寸50 nm之SiC顆粒進行添加，分別…
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摘要 本研究在MgYZn合金(Mg97Y2Zn1)內分別添加5 wt%及10 wt%的碳化矽(SiC)粉末使用兩階段鑄造方法製備鎂基複合材料，探討其顯微結構、機械性質及腐蝕行為。 研究結果顯示MgY…