檢索結果:共3筆資料 檢索策略: cdept.raw="機械工程系" and ckeyword.raw="氣液輔助化學機械拋光"
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單晶碳化矽晶圓(Silicon Carbide, SiC)擁有高崩潰電壓、寬能隙及高熱傳導率之材料特性,因此像是電動車等高功率元件市場上有較大的需求,然而單晶碳化矽晶圓具有高硬度與高抗化學之材料性質…
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單晶碳化矽晶圓(Silicon Carbide, SiC)在高功率元件裡相較於單晶單化矽(Silicon)具有高崩潰電壓高寬能隙、高崩潰電壓及高熱傳導率,然而單晶碳化矽具有高硬度(Mohs 9.2)…
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單晶碳化矽基板(Silicon Carbide, SiC),具有高崩潰電壓(High Breakdown Voltage)及低的阻抗, 因此在高功率元件市場的潛力無窮,但單晶碳化矽基板也因高硬度及高…