檢索結果:共7筆資料 檢索策略: cdept.raw="材料科學與工程系" and ckeyword.raw="氮化鎵"
個人化服務 :
排序:
每頁筆數:
已勾選0筆資料
1
這項研究研究了通過嵌入複合氮化鋁緩衝層(AlN BL),可以在少層石墨烯(FLG)/藍寶石基板上生長高質量GaN薄膜。複合氮化鋁緩衝層分別通過濺鍍和金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)生長的低溫AlN…
2
3
本研究成功的以RF反應式濺鍍法來製備III族氮化物薄膜,如GaN與InGaN等薄膜,濺鍍所需要的靶材則是將不同比例的金屬In、Ga與GaN陶瓷粉末混合後熱壓而成的陶金靶,靶材中的Ga含量需小於GaN…
4
氮化鎵具備優異的電性表現已成為第三代寬能隙半導體熱門材料,由AlGaN/GaN異質結構形成之高電子遷移率電晶體已廣泛運用在手機快充與電動車電控系統。本實驗將針對氮化鎵成長在藍寶石基板上,面臨的兩大瓶…
5
None
6
本研究利用有機金屬化學氣相沈積方式,以三甲基鎵(TMGa)及氨氣(NH3)分別為其鎵源和氮源合成氮化鎵結構。在一維結構方面,使用鍍上金觸媒的Si(100)、藍寶石單晶及氮化鎵單晶為基材來沈積氮化鎵。…
7
氮化鎵於矽基板上成長時,因晶格不匹配與熱膨脹係數差異引入應力,造成高密度差排缺陷,降低氮化鎵HEMT元件工作效能。本研究提出以石墨烯做為磊晶界面層,提升氮化鎵磊晶品質之方法。石墨烯是二維材料,垂直膜…