檢索結果:共2筆資料 檢索策略: cdept.raw="化學工程系" and ckeyword.raw="少數載子生命週期"
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本研究旨在探討少數載子復合行為與4H-SiC磊晶片品質的關聯性。我們透過一維的連續性載子擴散方程式建立4H-SiC磊晶片少數載子復合模型,並與實驗測得的少數載子生命週期復合結果進行擬合,獲取代表磊晶…
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本研究使用裝載266nm脈衝雷射之時間解析光致發光光譜(time-resolved photoluminescence, TRPL)分析了在低注入條件下磊晶層厚度小於15μm的4H-SiC磊晶片中少…