檢索結果:共16筆資料 檢索策略: cadvisor.raw="洪儒生" and ckeyword.raw="碳化矽"
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本論文針對碳化矽的低溫製備,考慮利用具有低共晶點的金屬矽化物合金作為合成碳化矽的矽來源,利用金屬矽化物合金比起原始組成之金屬有熔點急劇下降的特性,期望在較低的溫度下使其與活性碳反應來生成碳化矽鍵…
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本論文針對碳化矽的低溫製備,考慮利用矽化物合金的低融點特性,期望在較低的溫度下使其與活性碳物種反應來生成碳化矽鍵結。 本研究將採用電子束與熱蒸鍍法共蒸鍍石墨與金矽/鋁矽合金,分別於合金共晶溫度(36…
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本論文的主題分為四部分: (1)以SiH4、C2H2和H2為反應物的低壓化學氣相沉積系統探討Si(111)上碳化緩衝層表面的石墨化及其對成長3C-SiC(111)磊晶膜的影響之研究; (2)以SiH…
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碳化矽是一個具有良好物理、機械和電子特性的寬能隙材料,使其成為下一個世代中高功率元件的替代材料。在過去大家對於矽基板上磊晶成長碳化矽有很大的興趣,因為其具有低成本以及大面積的優勢,另一方面將矽表面進…
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本論文中針對三氯矽甲烷(MTS)為原料在氫氣氣氛下化學氣相沉積β相碳化矽薄膜的反應機制進行量化模型之探討。首先以一簡化的模型,即僅考慮MTS氣相解離生成一中間產物並貢獻長膜的逐次反應型式,對熱壁式水…
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本研究乃以四甲基矽烷(TMS)、氨氣、氫氣為原料氣體的內熱式低壓化學氣相沈積系統,藉由碳化矽/氮化矽複合膜沉積於石墨基材上,作為石墨與碳化矽覆膜間的熱應力緩和傾斜層。利用在氫氣氣氛下控制原料TMS對…
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本研究乃以實驗室組裝之感應耦合電漿(ICP)反應系統來低溫氧化4H碳化矽晶片以製備閘極介電層。實驗上,以連結反應腔體至X射線光電子能譜儀(XPS)測量腔體,達到階段氧化後可不需暴露試片於大氣即可進行…